几个月前，三星开始使用其全新的 5 纳米 EUV 技术制造芯片，但这并不意味着该公司没有改进其旧技术。今天早些时候，这家韩国科技巨头表示，其新的 X-Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用，该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源效率。
三星的合同芯片制造部门三星晶圆厂已经完成了使用 X-Cube 术的测试芯片的生产，新的 3D 集成电路芯片封装技术现在已经可以用于制造 7 纳米和 5 纳米芯片。新技术可以实现多个芯片的超薄堆叠，以制造更紧凑的逻辑半导体。该工艺使用通硅通 (TSV)技术进行垂直电连接，而不是使用导线。
三星宣称，芯片设计师可以利用其 X-Cube 技术设计出最适合自己独特需求的定制芯片。由于采用了 TSV 技术，芯片中不同堆栈之间的信号路径大大减少，提高了数据传输速度和能源效率。各种逻辑块、存储器和存储芯片可以相互堆叠，以创造更紧凑的硅封装。
三星公司表示，这项技术将用于 5G、AI、AR、HPC(高性能计算)、移动和 VR 等领域。IT之家了解到，三星代工厂将在 8 月 18 日至 8 月 20 日举行的 Hot Chips 2020 博览会期间展示其新技术。此外，三星还在努力改进 5nm 工艺，跳过 4nm，在不久的将来开发 3nm 技术。
